能效和可靠性，必須正確管理電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)備的電流。事實(shí)上，電機(jī)電流可能會(huì)超過(guò)數(shù)十安培，導(dǎo)致逆變器內(nèi)部耗散功率提高。給逆變器元器件施加較高的功率將會(huì)導(dǎo)致逆變器工作溫度升高，性能下降，如果超過(guò)最大允許額定功率，甚至?xí)蝗煌Ｖ构ぷ鳌?yōu)化熱性能同時(shí)縮減尺寸，是逆變器設(shè)計(jì)過(guò)程中的重要一環(huán)，如果處理不當(dāng)，可能會(huì)埋下隱患。用現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證方法連續(xù)改進(jìn)原型生產(chǎn)可以解決這個(gè)問(wèn)題，但是，電熱評(píng)估是完全分開的兩個(gè)過(guò)程，并且在設(shè)計(jì)過(guò)程中從未考慮電-熱耦合效應(yīng)，因?yàn)檫@會(huì)導(dǎo)致多次重復(fù)設(shè)計(jì)，延長(zhǎng)產(chǎn)品上市時(shí)間。目前電熱評(píng)估有一種更有效的替代方法，就是利用現(xiàn)代模擬技術(shù)優(yōu)化電機(jī)控制系統(tǒng)的電熱性能。Cadence®Celsius™ThermalSolver溫度模擬器是行業(yè)領(lǐng)先的用于系統(tǒng)分析的電熱協(xié)同仿真軟件，可在短短幾分鐘內(nèi)從電熱兩個(gè)角度全面準(zhǔn)確地評(píng)估設(shè)計(jì)性能。作為世界領(lǐng)先的工業(yè)電機(jī)控制集成電路制造商，意法半導(dǎo)體用Celsius™軟件改進(jìn)了EVALSTDRIVE101評(píng)估板的熱性能，開發(fā)出一個(gè)輸出電流高達(dá)15Arms的三相無(wú)刷電機(jī)逆變器，為終端應(yīng)用設(shè)計(jì)人員開發(fā)逆變器提供了一個(gè)參考。在本文中，我們借此機(jī)會(huì)講解如何減少熱優(yōu)化工作量，同時(shí)讓EVALSTDRIVE101達(dá)到生產(chǎn)級(jí)解決方案。

EVALSTDRIVE101基于75V三半橋柵極驅(qū)動(dòng)器STDRIVE101和六個(gè)連成三個(gè)半橋的STL110N10F7功率MOSFET開關(guān)管。STDRIVE101采用4x4毫米四方扁平無(wú)引腳(QFN)封裝，集成安全保護(hù)功能，非常適合電池供電解決方案。Celsius™顯著簡(jiǎn)化了EVALSTDRIVE101的熱電性能優(yōu)化過(guò)程，能夠在短時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)尺寸緊湊的可靠設(shè)計(jì)。下面所示的模擬結(jié)果用于反復(fù)調(diào)整元器件的位置，改進(jìn)板層和跡線的形狀，調(diào)整板層厚度，增加或移除通孔，最終得到一個(gè)生產(chǎn)級(jí)逆變器解決方案。優(yōu)化后，EVALSTDRIVE101是一塊覆銅厚度2oz的四層PCB板，寬11.4厘米，高9厘米，使用36V電池電壓向負(fù)載提供高達(dá)15Arms電流。從熱角度來(lái)看，EVALSTDRIVE101最關(guān)鍵的地方是功率級(jí)區(qū)域，其中包括功率MOSFET開關(guān)管、檢流電阻、旁路陶瓷電容、大容量電解電容和輸出端口。這部分的布局被大幅縮小，僅占整個(gè)電路板尺寸的一半，即50cm2。在這里，MOSFET的放置和布線經(jīng)過(guò)特別慎重考慮，因?yàn)樵诠ぷ髌陂g，逆變器大部分功率損耗都是由這些開關(guān)管造成的。所有MOSFET漏極端子的覆銅面積在頂層最大，在其它層盡可能做同樣大或更大，以改善向底層表面導(dǎo)熱的熱傳輸效率。通過(guò)這種方式，電路板的正面和背面都有助于空氣自然對(duì)流和熱輻射。直徑0.5毫米的通孔負(fù)責(zé)不同層之間的電連接和熱傳輸，促進(jìn)空氣流動(dòng)并改善冷卻效果。通孔網(wǎng)格位于MOSFET裸露焊盤的正下方，但通孔直徑減小到0.3毫米，以防止焊膏在孔中回流。

EVALSTDRIVE101的熱優(yōu)化過(guò)程是從評(píng)估逆變器運(yùn)行期間的耗散功率開始的，逆變器是溫度模擬器的一個(gè)輸入端。逆變器損耗分為兩類：在電路板跡線內(nèi)因焦耳效應(yīng)產(chǎn)生的功率損耗和電子元件造成的功率損耗。雖然Celsius™可以通過(guò)直接導(dǎo)入電路板布局?jǐn)?shù)據(jù)精確計(jì)算電流密度和電路板損耗，但是，還必須考慮電子元件引起的損耗。雖然電路模擬器可以提供非常準(zhǔn)確的結(jié)果，但我們還是決定用簡(jiǎn)化的公式算出合理的功率損耗，提出近似值。事實(shí)上，制造商可能無(wú)法獲得元器件的電氣模型，而且，因?yàn)槿狈?shù)據(jù)，難以或無(wú)法從頭開始建模，而我們提供的公式僅需要產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊(cè)的基本信息。排除次生現(xiàn)象，引起逆變器耗散功耗的主要原因是檢流電阻器P_sh和MOSFET內(nèi)部的功率損耗。這些損耗包括：導(dǎo)通損耗P_cond、開關(guān)損耗P_sw和二極管壓降損耗P_dt:

每個(gè)MOSFET的估算耗散功率為1.303W，每個(gè)檢流電阻器的估算耗散功率為0.281W。

Celsius™可以讓設(shè)計(jì)人員做熱模擬實(shí)驗(yàn)，包括系統(tǒng)電氣分析，顯示走線和通孔的電流密度和電壓降。這些模擬試驗(yàn)要求設(shè)計(jì)人員必須在系統(tǒng)中使用電路模型，定義相關(guān)電流環(huán)路。1所示是EVALSTDRIVE101的每個(gè)半橋所用的電路模型。模型包括位于輸出和電源輸入之間的兩個(gè)恒流發(fā)生器和三個(gè)旁通MOSFET和檢流電阻器的短路。這兩個(gè)電流環(huán)路與整個(gè)電源軌和接地層的實(shí)際平均電流非常接近，而輸出路徑電流略微高一點(diǎn)，便于評(píng)估設(shè)計(jì)韌性。2和3顯示了電流為15Arms的EVALSTDRIVE101的電壓降和電流密度。對(duì)地參考電壓的壓降突出了這個(gè)板子的布局經(jīng)過(guò)特別優(yōu)化，沒(méi)有瓶頸，并且U、V和W的輸出端在43mV、39mV和34mV時(shí)電壓降非常均衡。U輸出端的壓降最大，而W輸出端的壓降是三者中最低的，因?yàn)閃端口到電源連接器的路徑長(zhǎng)度較短。電流在各個(gè)路徑中分布均衡，平均密度低于15A/mm2，這是走線尺寸的功率推薦值。在MOSFET、分流電阻器和連接器附近的一些區(qū)域是紅色的，這代表電流密度較高，因?yàn)檫@些元器件的端子比下面的電源跡線小。不過(guò)，最大電流密度遠(yuǎn)低于50A/mm2的限制，在實(shí)際應(yīng)用中不會(huì)導(dǎo)致可靠性問(wèn)題發(fā)生。

模擬器使設(shè)計(jì)人員能夠安裝運(yùn)行穩(wěn)態(tài)模擬或瞬態(tài)模擬測(cè)試。穩(wěn)態(tài)模擬提供一個(gè)板層和組件的2D溫度，而瞬態(tài)模擬則提供每個(gè)模擬時(shí)刻的溫度和升溫曲線，但模擬時(shí)間更長(zhǎng)。穩(wěn)態(tài)模擬工具可以用于瞬態(tài)模擬，但還需要另外為組件定義耗散功率函數(shù)。瞬態(tài)模擬適用于為電源不是同時(shí)工作的系統(tǒng)定義工作狀態(tài)和評(píng)估達(dá)到穩(wěn)態(tài)溫度所需的時(shí)間。

EVALSTDRIVE101的模擬實(shí)驗(yàn)條件是28°C環(huán)境溫度，以傳熱系數(shù)作為邊界條件，器件分析采用雙電阻熱模型代替Delphi等詳細(xì)熱模型，可以直接從元器件數(shù)據(jù)手冊(cè)中獲得模型，不過(guò)會(huì)略微犧牲模擬精度。4所示是EVALSTDRIVE101的穩(wěn)態(tài)模擬結(jié)果，5是瞬態(tài)模擬結(jié)果。瞬態(tài)模擬使用了階躍功率函數(shù)，以零時(shí)間啟用所有MOSEFT和檢流電阻器。模擬結(jié)果確定U半橋區(qū)域是電路板上最熱的區(qū)域。Q1MOSFET（高邊）溫度為94.06°C，緊隨其后的是Q4MOSFET（低邊）、R24和R23檢流電阻器，分別為93.99°C、85.34°C和85.58°C。

EVALSTDRIVE101熱性能實(shí)驗(yàn)表征是在組裝好的電路板上做的。為了方便實(shí)驗(yàn)，沒(méi)有用連接到制動(dòng)臺(tái)的電機(jī)，而是考慮使用一個(gè)等效的測(cè)試臺(tái)，如6所示。EVALSTDRIVE101連接到控制板，生成所需的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并放置在有機(jī)玻璃箱內(nèi)，以獲得空氣對(duì)流冷卻，避免意外的空氣對(duì)流。在盒子上方放置了一臺(tái)熱成像攝像機(jī)（日本航空電子公司的TVS-200型），通過(guò)盒蓋上的一個(gè)孔，將電路板全部收入拍攝框內(nèi)。電路板輸出端連接一個(gè)三相負(fù)載，驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)使用36V電源。負(fù)載是由三個(gè)連成星形結(jié)構(gòu)的線圈組成，以模擬真實(shí)的電機(jī)工作特性。每個(gè)線圈都是30A的飽和電流、300µH的電感和25mΩ的寄生電阻。低寄生電阻大大降低了在線圈內(nèi)部的焦耳熱效應(yīng)，有利于電路板和負(fù)載之間的功率無(wú)損傳輸。通過(guò)控制板施加適當(dāng)?shù)恼译妷?，在線圈內(nèi)部產(chǎn)生三個(gè)15Arms的正弦電流。使用這種方法，功率級(jí)工作環(huán)境非常接近電機(jī)驅(qū)動(dòng)實(shí)際應(yīng)用的工作條件下，優(yōu)點(diǎn)是不需要任何控制回路。

功率級(jí)每個(gè)器件的耗散功率的數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性無(wú)疑是影響模擬結(jié)果的一個(gè)因素。MOSFET和檢流電阻的數(shù)據(jù)是使用簡(jiǎn)化公式計(jì)算得來(lái)，因此提出了近似值。測(cè)量電路板，以評(píng)估耗散功率的量化誤差。電路板的功率損耗Ploss的測(cè)量值是輸入功率Pin與三個(gè)輸出端PoutU,PoutV,PoutW供給負(fù)載的輸出功率的差值。使用示波器（TeledyneLeCroy的HDO6104-MS型）測(cè)量，并在波形中使用適當(dāng)?shù)臄?shù)學(xué)函數(shù)：首先，逐點(diǎn)計(jì)算每個(gè)測(cè)量點(diǎn)的電壓和電流的乘積；然后，計(jì)算在一個(gè)整數(shù)正弦周期數(shù)內(nèi)的平均功率。下表列出了在環(huán)境溫度下的測(cè)量數(shù)據(jù)和功率級(jí)達(dá)到穩(wěn)態(tài)條件時(shí)的高溫測(cè)量結(jié)果，還給出了前面用公式估算的電路板耗散功率。

結(jié)果表明，測(cè)量值和估算值之間非常接近，與提出的近似值一致。在室溫時(shí)，公式高估測(cè)量值1.5%，在高溫條件，低估測(cè)量值大約3.9%。這個(gè)結(jié)果與MOSFET導(dǎo)通電阻和檢流電阻的可變性一致，因?yàn)樵谟?jì)算中使用的是標(biāo)稱值。由于線圈電阻和MOSFET電阻隨溫度升高而增加，高溫功率值都比室溫功率值高，符合預(yù)期。數(shù)據(jù)還顯示三個(gè)輸出的測(cè)量功率存在差異。這種現(xiàn)象是因?yàn)槿嘭?fù)載不均衡造成的，因?yàn)槊總€(gè)線圈的L和R值略有不同。然而，這種影響起到的作用微不足道，因?yàn)橛^察到的差值低于測(cè)量和估算之間的差值。

在負(fù)載內(nèi)產(chǎn)生正弦電流和熱像儀采集拍照是同步的。紅外熱像儀設(shè)為每15秒拍攝一次熱像，每次拍照都包含元器件Q1、Q4和R23的三個(gè)溫度標(biāo)記。系統(tǒng)保持工作狀態(tài)，直到大約25分鐘后達(dá)到穩(wěn)態(tài)條件為止。在測(cè)試結(jié)束時(shí)檢測(cè)到箱內(nèi)環(huán)境溫度約為28°C。7顯示了來(lái)自溫度標(biāo)記的電路板升溫瞬變，8顯示了電路板上的最終溫度。測(cè)量結(jié)果表明，Q1MOSFET是整個(gè)電路板中最熱的元器件，溫度為93.8°C，而Q4MOSFET和R23電阻分別達(dá)到了91.7°C和82.6°C。根據(jù)前文的Celsius™模擬結(jié)果，Q1MOSFET是94.06°C，Q4MOSFET是93.99°C，R23是85.58°C，與測(cè)量結(jié)果非常接近。直接比較5與7不難發(fā)現(xiàn)，散熱瞬態(tài)時(shí)間常數(shù)也是高達(dá)一致。

意法半導(dǎo)體最近發(fā)布了利用Cadence®Celsius™ThermalSolver溫度模擬器開發(fā)的EVALSTDRIVE101評(píng)估板。該板電路板可以驅(qū)動(dòng)電池供電設(shè)備的高功率低電壓三相無(wú)刷電機(jī)。這塊板子包括一個(gè)50cm2的緊湊的功率級(jí)，無(wú)需散熱器或增裝冷卻設(shè)備即可向電機(jī)提供超過(guò)15Arms的電流。使用溫度模擬器內(nèi)部的不同模擬功能，不僅可以預(yù)測(cè)電路板的溫度分布及功率級(jí)組件的熱點(diǎn)，還可以詳細(xì)描述電源跡線的電壓降和電流密度，而這很難或者根本不可能通過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)量獲得。在從設(shè)計(jì)初期到最終定案的整個(gè)開發(fā)過(guò)程中，模擬結(jié)果可以讓開發(fā)者快速優(yōu)化電路板布局，調(diào)整元器件位置，改進(jìn)布局缺陷。紅外熱像儀熱表征測(cè)試表明，穩(wěn)態(tài)溫度以及瞬態(tài)溫度曲線的模擬值和測(cè)量值之間具有良好的一致性，證明電路板具有出色的性能，溫度模擬器可有效地幫助設(shè)計(jì)人員降低設(shè)計(jì)裕度，加快產(chǎn)品上市。